檢索結果：共9筆資料 檢索策略： "sputter".ekeyword (精準) and ckeyword.raw="氧化鋅"
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中文摘要 當薄膜沈積於基材上會受到製程參數與晶格常數的不同造成殘留應力的發生，而殘留應力將會影響薄膜之晶格結構與表面粗糙度，且隨著元件之使用環境、溫度、濕度等條件的變化，進而使得薄膜產生與基材剝離的…
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本文是以反應性離子束濺鍍法成長氧化鋅薄膜，嘗試在兩種不同反應濺鍍環境:一是“氧氣直接通入腔體”；另一是“氧及氬氣同時通入離子槍”作反應性濺鍍，並探討通入氧流量的多寡對薄膜性質、光學、結構的影響。在未…
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使用毛細式離子源濺鍍氧化鋅靶，沉積氧化鋅薄膜於晶向(100)矽基板上，隨後於氧與氮氣氛下退火，討論不同退火條件對氧化鋅薄膜特性之影響。 XRD顯示未退火之氧化鋅薄膜無任何繞射峰值，ZnO(002)繞…
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本研究以雙離子槍反應式離子束濺鍍法沉積摻鉺氧化鋅薄膜，藉由控制靶材所照射的離子電流以控制濺擊產率而達到控制鉺摻雜濃度之目的。在本實驗中摻鉺的氧化鋅薄膜可以得到位於近紅外範圍之1.0 (4I11/2 …
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本文使用反應式離子束濺鍍沉積法，在晶向(100)的矽基板上成長氧化鋅薄膜，觀察不同成長溫度、氧通量和基板偏壓對薄膜造成的影響。300℃時，有弱的近能隙發光和強的綠光缺陷發光；500℃時，有強的近能隙…
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以離子濺鍍法，在沈積氧化鋅薄膜同時，除了通入氬氣作為轟擊靶材之離子源，也直接加入氮氣，可將氮摻雜到氧化鋅薄膜，形成摻氮氧化鋅(ZnO:N)。以XRD分析成長溫度為300C之摻氮氧化鋅薄膜中只有氧化…
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本研究探討以離子束濺鍍法，沉積摻鉺氧化鋅薄膜(Erbium-doped ZnO, EZO)之特性。我們以層狀方式沉積EZO薄膜，藉退火使鉺與氧化鋅混合。實驗中，成功的以325 nm之He-Cd雷射，…
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本研究在玻璃基板上建立半透明微奈米陣列結構，改善玻璃的光學特性，並於奈米結構上方濺鍍金屬鋅，再經過氧化處理成為氧化鋅薄膜，探討光波經過光學薄膜層所產生吸收或穿透的光學改變量。製程主要是利用磁控射頻濺…
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本研究利用RF磁控濺鍍法在低沉積溫度下製備光電陰極及光電陽極之薄膜。 在光電陰極的部分本研究利用矽基板為基材，對其以磁控濺鍍法進行 In2O3 薄膜披覆，其主要目的是希望在酸性電解液中有優異的析氫能…